(ictworld.vn) - Samsung đã bắt đầu cho sản xuất hàng loạt bộ nhớ LPDDR2 4 gigabit dựa trên công nghệ 20nm đầu tiên cho các thiết bị di động.
Với các mô-đun bộ nhớ nhỏ hơn sẽ cho phép các nhà sản xuất phần cứng có thể tích hợp được nhiều hơn các chi tiết phần cứng trong một không gian hạn chế thường thấy trên các thiết bị di động ngày nay. Dựa trên công nghệ 20nm các bộ nhớ 2GB sẽ chiếm ít hơn 20% không gian mà các bộ nhớ 2 GB được sản xuất trên công nghệ 30nm hiện tại. Điều này có nghĩa là bạn có thể kỳ vọng các bộ nhớ 2GB mới này sẽ thường xuất hiện hơn trên điện thoại thông minh và máy tính bảng.
Samsung dự kiến 13% tổng số DRAM sẽ được thay thế bằng LPDDR2 4 gigabit năm nay, 49% vào năm 2013 và 63% vào năm 2014, và cuối năm 2013 DRAM 4 gigabit sẽ được sử dụng chính trên các thiết bị di động.
