Công ty cho biết, MRAM (magnetoresistive random access memory) mới của hãng được sử dụng trong các smartphone như là bộ nhớ đệm cho bộ xử lý di động, thay thế cho SRAM được sử dụng hiện nay.
Giảm tiêu thụ điện năng trong các tiện ích trên thiết bị di động là một trong những trọng tâm dành cho các nhà sản xuất thiết bị, nơi nhiệt và tuổi thọ pin là mối quan tâm lớn đối với người tiêu dùng. MRAM được sử dụng để cung cấp bộ nhớ đệm cho các bộ xử lý. Công nghệ này cũng đang được phát triển bởi Toshiba và các công ty khác ở khả năng lưu trữ cao hơn nhiều như là một lựa chọn thay thế cho bộ nhớ flash và DRAM.
MRAM sử dụng lưu trữ từ tính để theo dõi các bit, trái ngược với công nghệ RAM mới nhất sử dụng điện. Công nghệ mới hơn có khả năng giữ lại các dữ liệu mà không cần duy trì điện năng, nhưng nó thường đòi hỏi nhiều điện năng hơn để hoạt động ở tốc độ cao.
Chip mới sử dụng thiết kế nhỏ hơn 30nm . Tuy nhiên, ông Ido không đưa ra thời gian sẽ tung bộ nhớ MRAM ra thị trường.
Mặc khác, Toshiba cũng đã phối hợp với Hynix để phát triển chíp nhớ MRAM cho các sản phẩm bộ nhớ thế hệ tiếp theo. Toshiba cho biết hãng sẽ thúc đẩy các sản phẩm kết hợp một số công nghệ bộ nhớ, chẳng hạn như MRAM và flash NAND.
Tháng trước, Everspin thông báo đã cung cấp chíp ST (Spin-Torque) MRAM đầu tiên trên thế giới như là một sự lựa chọn thay thế cho DRAM. Công ty cho biết rằng những chíp mới được phục vụ như là bộ nhớ đệm dành cho các ổ đĩa thể rắn (SSD) và bộ nhớ truy cập nhanh, đặc biệt trong các trung tâm dữ liệu.
Toshiba sẽ trình bày nghiên cứu của mình tại Hội nghị IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) được tổ chức tại thành phố San Francisco trong tuần này, trong đó tập trung chính vào công nghệ bán dẫn mới. IEEE, viện Kỹ sư Điện và Điện tử, là một tổ chức thúc đẩy hoạt động nghiên cứu về các chủ để kỹ thuật chủ yếu là điện.
và quét mã QR
Bình luận (0)