Chíp nhớ thông thường được gọi là DRAM không sử dụng điện tích trong các tế bào bộ nhớ, trong khi MRAM (Magnetoresistive RAM) lại có sử dụng. Còn RRAM (Resistive RAM) được phát triển dựa trên 2 đơn vị cấu thành, bao gồm lớp trung tâm có khả năng tạo nên các lớp ngoài.
Theo Nikkei thì Renesas, Hitachi và Micron Technology là một trong những nhà sản xuất lớn đang phối hợp cùng nhau trong dự án phát triển MRAM tại Đại học Tohoku ở Nhật Bản. Và vào tháng 8 năm nay, Crossbar sẽ bắt đầu kế hoạch phát triển RRAM. Cả 2 công nghệ này hiện đang trong quá trình hoàn thiện những bước cuối cùng trước khi chúng có thể thay thế DRAM hoàn toàn.
Được biết, máy tính hiện nay sử dụng DRAM để chạy chương trình và tạm thời lưu trữ dữ liệu theo yêu cầu hệ thống và phần mềm. Các nội dung của DRAM sẽ bị mất khi cúp điện, nhưng với MRAM hoặc RRAM, nó sẽ đáp ứng ngay lập tức ngay cả sau khi máy tính đã được tắt.
Bộ nhớ flash thường được sử dụng trong các tablet có chức năng cung cấp khả năng lưu trữ liên tục sau khi điện bị cắt, nhưng theo các nhà phát triển thế hệ chíp mới thì chúng sẽ loại bỏ sự cần thiết này.
RRAM dự kiến sẽ cung cấp hiệu suất ghi nhanh hơn 20 lần, tiết kiệm điện năng thấp hơn 20 lần và độ bền cao hơn 10 lần so với bộ nhớ flash NAND. Điều này sẽ giúp máy tính giải quyết hầu hết mọi vấn đề. Kết quả là các nhà sản xuất máy tính có thể tạo ra các hệ thống hoạt động trở nên ổn định hơn.
Bình luận (0)