xem thêm
An Giang
Bình Dương
Bình Phước
Bình Thuận
Bình Định
Bạc Liêu
icon 24h qua
Đăng nhập
icon Đăng ký gói bạn đọc VIP

Samsung sản xuất bộ nhớ 4 gigabit công nghệ 20nm

A.T (GSMArena)

(ictworld.vn) - Samsung đã bắt đầu cho sản xuất hàng loạt bộ nhớ LPDDR2 4 gigabit dựa trên công nghệ 20nm đầu tiên cho các thiết bị di động.

img

Với các mô-đun bộ nhớ nhỏ hơn sẽ cho phép các nhà sản xuất phần cứng có thể tích hợp được nhiều hơn các chi tiết phần cứng trong một không gian hạn chế thường thấy trên các thiết bị di động ngày nay. Dựa trên công nghệ 20nm các bộ nhớ 2GB sẽ chiếm ít hơn 20% không gian mà các bộ nhớ 2 GB được sản xuất trên công nghệ 30nm hiện tại. Điều này có nghĩa là bạn có thể kỳ vọng các bộ nhớ 2GB mới này sẽ thường xuất hiện hơn trên điện thoại thông minh và máy tính bảng.
 
Samsung dự kiến 13% tổng số DRAM sẽ được thay thế bằng  LPDDR2 4 gigabit năm nay, 49% vào năm 2013 và 63% vào năm 2014, và cuối năm 2013 DRAM 4 gigabit sẽ được sử dụng chính trên các thiết bị di động.
Lên đầu Top

Bạn cần đăng nhập để thực hiện chức năng này!

Bạn không thể gửi bình luận liên tục. Xin hãy đợi
60 giây nữa.

Thanh toán mua bài thành công

Chọn 1 trong 2 hình thức sau để tặng bạn bè của bạn

  • Tặng bằng link
  • Tặng bạn đọc thành viên
Gia hạn tài khoản bạn đọc VIP

Chọn phương thức thanh toán

Tài khoản bạn đọc VIP sẽ được gia hạn từ  tới

    Chọn phương thức thanh toán

    Chọn một trong số các hình thức sau

    Tôi đồng ý với điều khoản sử dụng và chính sách thanh toán của nld.com.vn

    Thông báo